半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小野澤 和利 |
| 发表日期 | 2008-10-10 |
| 专利号 | JP4197420B2 |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】複数の半導体素子をハイブリッドに集積化してなる半導体装置において、製造時にFSA法を用いながらも、各半導体素子を容易に且つ確実に実装できるようにする。 【解決手段】複数の半導体レーザ素子における配置パターンと対応する位置にそれぞれ開口部30a、30bを有するテンプレート30を形成し、その後、各半導体レーザ素子を配置する実装用のウエハ10Aの主面上にテンプレート30を保持する。続いて、複数の半導体レーザ素子を液体中に分散し、複数の半導体レーザ素子が分散した液体をテンプレート30が保持されたウエハ10Aの上に流すことにより、複数の半導体レーザ素子をテンプレート30の各開口部30a、30bにそれぞれ自己整合的に嵌め込む。 【選択図】 図2 |
| 公开日期 | 2008-12-17 |
| 申请日期 | 2002-09-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33817]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野澤 和利. 半導体装置の製造方法. JP4197420B2. 2008-10-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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