NANOKRISTLALLSTRUKTUREN
文献类型:专利
| 作者 | EISLER HANS J.; SUNDAR VIKRAM C.; WALSH MICHAEL E.; KLIMOV VICTOR I.; BAWENDI MOUNGI G.; SMITH HENRY I. |
| 发表日期 | 2008-09-04 |
| 专利号 | DE60227840D1 |
| 著作权人 | MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
| 国家 | 德国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | NANOKRISTLALLSTRUKTUREN |
| 英文摘要 | A structure including a grating and a semiconductor nanocrystal layer on the grating, can be a laser. The semiconductor nanocrystal layer can include a plurality of semiconductor nanocrystals including a Group II-VI compound, the nanocrystals being distributed in a metal oxide matrix. The grating can have a periodicity from 200 nm to 500 nm. |
| 公开日期 | 2008-09-04 |
| 申请日期 | 2002-11-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33823] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | EISLER HANS J.,SUNDAR VIKRAM C.,WALSH MICHAEL E.,et al. NANOKRISTLALLSTRUKTUREN. DE60227840D1. 2008-09-04. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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