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NANOKRISTLALLSTRUKTUREN

文献类型:专利

作者EISLER HANS J.; SUNDAR VIKRAM C.; WALSH MICHAEL E.; KLIMOV VICTOR I.; BAWENDI MOUNGI G.; SMITH HENRY I.
发表日期2008-09-04
专利号DE60227840D1
著作权人MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
国家德国
文献子类授权发明
其他题名NANOKRISTLALLSTRUKTUREN
英文摘要A structure including a grating and a semiconductor nanocrystal layer on the grating, can be a laser. The semiconductor nanocrystal layer can include a plurality of semiconductor nanocrystals including a Group II-VI compound, the nanocrystals being distributed in a metal oxide matrix. The grating can have a periodicity from 200 nm to 500 nm.
公开日期2008-09-04
申请日期2002-11-18
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33823]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
推荐引用方式
GB/T 7714
EISLER HANS J.,SUNDAR VIKRAM C.,WALSH MICHAEL E.,et al. NANOKRISTLALLSTRUKTUREN. DE60227840D1. 2008-09-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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