Method for producing a semiconductor element
文献类型：专利
| 作者 | FEHRER, MICHAEL; HAHN, BERTHOLD; HARLE, VOLKER; KAISER, STEPHAN; OTTE, FRANK; PLOSSL, ANDREAS |
| 发表日期 | 2009-09-15 |
| 专利号 | US7588998 |
| 著作权人 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Method for producing a semiconductor element |
| 英文摘要 | A method for producing a semiconductor component, in particular a thin-film component, a semiconductor layer being separated from a substrate by irradiation with a laser beam having a plateaulike spatial beam profile. Furthermore, the semiconductor layer, prior to separation, is applied to a carrier with an adapted thermal expansion coefficient. The method is suitable in particular for semiconductor layers containing a nitride compound semiconductor. |
| 公开日期 | 2009-09-15 |
| 申请日期 | 2003-01-30 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33828]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FEHRER, MICHAEL,HAHN, BERTHOLD,HARLE, VOLKER,et al. Method for producing a semiconductor element. US7588998. 2009-09-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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