半導体レーザ装置及びピックアップ装置
文献类型：专利
| 作者 | 長野 一將; 河内 泰之; ▲はま▼口 真一; 中西 秀行 |
| 发表日期 | 2010-01-22 |
| 专利号 | JP4445220B2 |
| 著作权人 | パナソニック株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びピックアップ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザの出射光の利用効率の低下を防止して高出力が得られる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体基板111に形成された凹部112の底面113に半導体レーザ114が載置されており、出射端面201から出射される光は、凹部112の側面に入射する。この側面は、底面113と45°の角度をなす斜面であって、さらに階段状になっている。下側斜面202に反射ミラー115が設けられ、上側斜面203には受光面118が形成されている。半導体レーザ114からの出射光はその主要部が反射ミラー115で反射されて半導体基板111の上方に導かれ、出射光の一部は受光面118に入射して、その後段に設けられたモニタ光検出用フォトダイオード116でレーザ光出力を検出する。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-04-07 |
| 申请日期 | 2003-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33846]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パナソニック株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長野 一將,河内 泰之,▲はま▼口 真一,等. 半導体レーザ装置及びピックアップ装置. JP4445220B2. 2010-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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