半導体レーザ装置及びそれを用いたピックアップ
文献类型:专利
作者 | 小泉 秀史; 八木 有百実; 松原 和徳; 金子 延容 |
发表日期 | 2008-10-10 |
专利号 | JP4199080B2 |
著作权人 | シャープ株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 半導体レーザ装置及びそれを用いたピックアップ |
英文摘要 | 【課題】 小型·薄型のピックアップにすることができるホログラムレーザ方式の半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子2と、半導体レーザ素子2から出射され外部の光ディスク面により反射されて再び入射するレーザビームを検出する受光素子3とを含む素子群を搭載するための素子搭載領域が支持部材1の上面1cに形成されている。半導体レーザ素子2から光ディスク面に至るレーザビームの光路に、支持部材の素子搭載領域から略垂直上方へ進む垂直光路が含まれている。支持部材1の左右端部には側面1a、1bが形成されている。支持部材1の左右側面1a、1bには、円弧状内面を有する取付孔に嵌挿するための円弧状外面が形成されている。これらの円弧状外面の各曲面は垂直光路の延長線が中心軸となり、かつ、各曲面の曲率半径が互いに異なるように形成されている。 【選択図】図1 |
公开日期 | 2008-12-17 |
申请日期 | 2003-09-12 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33863] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | シャープ株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 小泉 秀史,八木 有百実,松原 和徳,等. 半導体レーザ装置及びそれを用いたピックアップ. JP4199080B2. 2008-10-10. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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