激光器照射装置和方法以及半导体器件的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山崎舜平; 田中幸一郎 |
| 发表日期 | 2010-06-23 |
| 专利号 | CN1531023B |
| 著作权人 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 激光器照射装置和方法以及半导体器件的制造方法 |
| 英文摘要 | 激光器照射装置、激光器照射方法以及半导体装置的制造方法。本发明的课题是提供一种能够显著地扩展光束点的面积，并使结晶性差的区域所占的比率下降的激光器照射装置。此外本发明的课题还涉及提供一种能够在使用连续振荡的激光器的同时提高生产率的激光器照射装置。进而，本发明的课题还涉及提供使用了该激光器照射装置的激光器照射方法以及半导体装置的制作方法。通过高次谐波的脉冲振荡的第1激光来对熔化了的区域照射连续振荡的第2激光。具体的是第1激光具有与可视光线相同程度或者短的波长(830nm，最好是780nm以下的程度)。通过根据第1激光而引起的半导体膜熔化，对第2激光的半导体膜的吸收系数就显著升高了，第2激光也变得容易被半导体膜吸收了。 |
| 公开日期 | 2010-06-23 |
| 申请日期 | 2004-03-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33886]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社半导体能源研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山崎舜平,田中幸一郎. 激光器照射装置和方法以及半导体器件的制造方法. CN1531023B. 2010-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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