サブマウントおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松嶋 直樹; 廣瀬 一弘; 関 正俊; 竹盛 英昭; 小泉 俊晃; 藤永 猛; 秦 昌平 |
| 发表日期 | 2011-09-16 |
| 专利号 | JP4825403B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | サブマウントおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】最上層に形成したSn-Zn系はんだの濡れ広がりを従来の樹脂やPt等のソルダレジストを設けずに制御することができるサブマウントを提供する。 【解決手段】SiCやAl2O3やAlN等の回路基板に対して、Auメタライズ層を形成し、そのAuメタライズ層の上層にSn-Zn系はんだを蒸着することにより、Sn-Zn系はんだの周囲にSn-Zn系はんだのレジストとして機能するAuとSnを主成分とする合金を形成するか、蒸着の代わりにスパッタを用いることにより、Sn-Zn系はんだの周囲にSn-Zn系はんだのレジストとして機能するAuとSnを主成分とする合金を形成する。この際、Sn-Zn系はんだ直下のZnがSn-Zn系はんだ直下のAuとの和に対して38重量%以下となるように形成する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2011-11-30 |
| 申请日期 | 2004-04-01 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33889]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松嶋 直樹,廣瀬 一弘,関 正俊,等. サブマウントおよびその製造方法. JP4825403B2. 2011-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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