近接場光出射素子、光ヘッド、および近接場光出射素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 上柳 喜一; 納谷 昌之; 都丸 雄一 |
| 发表日期 | 2009-10-30 |
| 专利号 | JP4399328B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 近接場光出射素子、光ヘッド、および近接場光出射素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造が容易で、高い光利用効率で高強度の近接場光を出射することができる近接場光出射素子および光ヘッドを提供するを提供する。 【解決手段】 半導体レーザ3から出射したレーザ光4aは、コリメータレンズ5によって平行光4bに整形され、透明媒体6の第1面6aに入射し、第3面6cの表面に形成された反射膜6dで反射し、浮上スライダ2の下面2aに設けられた金属フィルム10の開口10dに集光する。この開口10dに集光したレーザ光によって金属フィルム10の第1および第2の表面10a,10bに表面プラズモンが励起され、その表面プラズモンが端面10cで反射して開口10dに収束し、開口10d付近においてレーザ光とプラズモンとの相互作用により開口10dから出射される近接場光4eが大幅に増強する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-01-13 |
| 申请日期 | 2004-07-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33897]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上柳 喜一,納谷 昌之,都丸 雄一. 近接場光出射素子、光ヘッド、および近接場光出射素子の製造方法. JP4399328B2. 2009-10-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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