雷射照射方法及結晶系半導體膜的製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 田中幸一郎; 山本良明 |
| 发表日期 | 2013-03-21 |
| 专利号 | TWI390811B |
| 著作权人 | 半導體能源研究所股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 雷射照射方法及結晶系半導體膜的製造方法 |
| 英文摘要 | 即使在相同條件下，以適當整形之光束點的能量分佈來實施雷射照射，給予被照射面的能量還是不均勻。當使用這樣不均勻的照射能量來使半導體膜結晶化而形成結晶系半導體膜時，此膜之結晶性變得不均勻，並且利用此膜所製造之半導體元件的特性改變。 在本發明中，以具有為微微秒(10-12秒)或微微秒以下之等級的脈寬之雷射光束照射形成在基板上之被照射物。 |
| 公开日期 | 2013-03-21 |
| 申请日期 | 2004-12-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33920]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 半導體能源研究所股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中幸一郎,山本良明. 雷射照射方法及結晶系半導體膜的製造方法. TWI390811B. 2013-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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