具有可调能带带隙的半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | A·R·巴尔克南德; E·P·A·M·巴克斯; L·F·费纳 |
| 发表日期 | 2009-05-06 |
| 专利号 | CN100485983C |
| 著作权人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有可调能带带隙的半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种能带带隙能够被电性改变的半导体装置。本发明的思想是提供一种装置，该装置基于嵌入在材料(307)中的纳米线(306)，当适当地处理例如锆钛酸铅PZT、氮化铝AlN或者氧化锌ZnO的这种压电材料时，材料(307)显示出变形。借助将电压应用于该材料，可以通过施加对压电材料(307、312)的部分变形而可逆地应变纳米线(306)。利用所得到的带隙变化调整从例如LED或者激光器发射的光的颜色。这是带隙与发出光的频率成比例的事实的结果。在其它领域的应用中，能够控制半导体结中的接触电阻，并且该特征在存储器和开关中有非常有利的。 |
| 公开日期 | 2009-05-06 |
| 申请日期 | 2005-10-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33950]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | A·R·巴尔克南德,E·P·A·M·巴克斯,L·F·费纳. 具有可调能带带隙的半导体装置. CN100485983C. 2009-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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