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超辐射发光二极管的数控驱动方法及其装置

文献类型:专利

作者陈侃; 费宇明; 黄腾超; 舒晓武
发表日期2011-03-30
专利号CN101175352B
著作权人浙江大学
国家中国
文献子类授权发明
其他题名超辐射发光二极管的数控驱动方法及其装置
英文摘要本发明公开了超辐射发光二极管的数控驱动方法及其装置,利用阶跃响应法,在装置启动初始获得对热电制冷器进行有效控制的PID参数,并运用到PID控制算法之中,通过比较热敏电阻温度信号与设定温度信号的偏差,经过PID控制,输出信号至热电制冷器,控制热电制冷器产生相应的制冷量,以改善SLD工作环境温度,提高SLD的温度稳定性。本发明能够广泛的适用各种厂商所生产的超辐射发光二极管,适应性强。并且能够根据工作条件的不同,调整控制参数,有效的克服了固定参数控制不能适应环境温度变化的问题,提高了控制精度,有效地改善了SLD输出功率及中心波长的稳定性。
公开日期2011-03-30
申请日期2007-09-04
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34001]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位浙江大学
推荐引用方式
GB/T 7714
陈侃,费宇明,黄腾超,等. 超辐射发光二极管的数控驱动方法及其装置. CN101175352B. 2011-03-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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