窒化物半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 庄野 博文; 豊田 達憲 |
| 发表日期 | 2013-05-17 |
| 专利号 | JP5271563B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、レーザー照射により、前記半導体ウエハー表面に溝部と、該溝部を介して該溝部より前記半導体ウエハー内部側に加工変質部と、を形成することによりブレイク·ラインを形成する工程と、前記ブレイク·ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2013-08-21 |
| 申请日期 | 2008-02-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34009]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄野 博文,豊田 達憲. 窒化物半導体素子の製造方法. JP5271563B2. 2013-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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