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製造面射型雷射元件的方法、面射型雷射元件、面射型雷射陣列、光學掃描裝置、以及影像形成裝置

文献类型:专利

作者庄子浩義; 佐藤俊一; 伊藤彰浩; 原坂和宏
发表日期2013-07-21
专利号TWI403052B
著作权人理光股份有限公司
国家中国台湾
文献子类授权发明
其他题名製造面射型雷射元件的方法、面射型雷射元件、面射型雷射陣列、光學掃描裝置、以及影像形成裝置
英文摘要本發明揭露了一種製造面射型雷射元件的方法,包括:在疊層體的上表面上疊層第一透明介電層;在第一透明介電層的上表面上形成第一光阻圖案,該第一光阻圖案包括一圖案,用以界定台面結構之外周,並包括一圖案,用以保護對應於包括在發射區域中的相對高反射率部分和相對低反射率部分的其中之一之區域;藉由使用第一光阻圖案作為蝕刻遮罩,來蝕刻第一透明介電層;以及形成第二光阻圖案,用以保護對應於發射區域整體的區域。這些步驟係在形成台面結構之前執行。
公开日期2013-07-21
申请日期2010-05-12
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34058]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位理光股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
庄子浩義,佐藤俊一,伊藤彰浩,等. 製造面射型雷射元件的方法、面射型雷射元件、面射型雷射陣列、光學掃描裝置、以及影像形成裝置. TWI403052B. 2013-07-21.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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