面発光レーザアレイ
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤 俊一; 伊藤 彰浩 |
| 发表日期 | 2014-02-21 |
| 专利号 | JP5477728B2 |
| 著作权人 | 株式会社リコー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 面発光レーザアレイ |
| 英文摘要 | 【課題】 ダミー素子を用いずに基板の面内方向におけるエッチング深さの差を低減可能な面発光レーザアレイを提供する。 【解決手段】面発光レーザアレイは、各々が面発光レーザ素子1の構造からなる複数の面発光レーザ素子を備える。面発光レーザ素子1において、反射層102は、40.5周期の[n-AlAs/n-Al0.3Ga0.7As]からなり、共振器スペーサー層103,105の各々は、(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pからなる。活性層104は、GaInPAsからなる井戸層と、Ga0.6In0.4Pからなる障壁層とを含む量子井戸構造からなる。さらに、反射層106は、24周期の[p-Al0.9Ga0.1As/Al0.3Ga0.7As]からなる。そして、メサ構造体の底面は、反射層106におけるエッチング深さの差を吸収する共振器スペーサー層103の途中に位置している。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2014-04-23 |
| 申请日期 | 2013-05-13 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34171]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社リコー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤 俊一,伊藤 彰浩. 面発光レーザアレイ. JP5477728B2. 2014-02-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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