決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法
文献类型：专利
| 作者 | 玉村好司; 本弘範; 長井政春; 池田昌夫 |
| 发表日期 | 2001-02-21 |
| 专利号 | TW423092B |
| 著作权人 | 蘇妮股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法 |
| 英文摘要 | 應用本方法，化合物半導體層的臨界膜厚被決定，且在發光性能上優秀的具有一含有一最佳化的膜厚的化合物半導體層的半導體裝置被製造。 藉由測量，一化合物半導體層的膜厚與對應於該膜厚的光激發光(P L)之間的關係被得到，P L展現峰值的膜厚被定為臨界膜厚。該半導體層包括至少包含鎘的Ⅱ一Ⅳ族化合物半導體層。藉由測量，臨界膜厚與鎘組成比例之間的關係被得到。一近似臨界膜厚與鎘組成比例之間的關係的方程式被算出。當一半導體裝置被製造時一化合物半導體層被形成，使得該層的厚度較由該方程式決定的臨界膜厚薄。 |
| 公开日期 | 2001-02-21 |
| 申请日期 | 1995-11-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34607]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 蘇妮股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玉村好司,本弘範,長井政春,等. 決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法. TW423092B. 2001-02-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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