DIODE A EFFET LASER
文献类型：专利
| 作者 | MASAAKI, SAWAI |
| 发表日期 | 1986-01-24 |
| 专利号 | FR2511810B1 |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 法国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | DIODE A EFFET LASER |
| 英文摘要 | Herein disclosed is a laser diode in which the bonding position of a wire 26 is kept from an active layer 13 for laser oscillation so that the active layer may be prevented from being mechanically damaged by the wire bonding process. |
| 公开日期 | 1986-01-24 |
| 申请日期 | 1982-07-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34732]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | MASAAKI, SAWAI. DIODE A EFFET LASER. FR2511810B1. 1986-01-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。