Laser diode array with lateral coupling
文献类型：专利
| 作者 | KAPPELER, FRANZ, DR.; WOLF, THOMAS; STEGMÜLLER, BERNHARD, DR. |
| 发表日期 | 1994-02-02 |
| 专利号 | EP0292013B1 |
| 著作权人 | SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
| 国家 | 欧洲专利局 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Laser diode array with lateral coupling |
| 英文摘要 | Laserdiodenarray mit lateraler Verkopplung mit in der die obere Schicht des Halbleiterkörpers bildenden Deckschicht (3) ausgebildeten Stegen (3a, 3b, 3c), die mit getrennten Kontakten (5a, 5b, 5c) versehen sind und durch Quasiindexführung nach dem MCRW-Prinzip laseraktive Streifen in der auf dem Substrat (1) befindlichen aktiven Schicht (2) erzeugen, wobei die Dicke (d₁, d₂) der Deckschicht (3) im Bereich zwischen den Stegen (3a, 3b, 3c) so groß ist, daß die zu erzielende Verkopplung bewirkt ist, und die Dicke (f) der Deckschicht (3) im an die äußeren Stege (3a, 3c) nach außen hin angrenzenden Bereich so klein ist, daß die seitlichen Abstrahlungsverluste des Arrays gering gehalten sind. |
| 公开日期 | 1994-02-02 |
| 申请日期 | 1988-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34847]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KAPPELER, FRANZ, DR.,WOLF, THOMAS,STEGMÜLLER, BERNHARD, DR.. Laser diode array with lateral coupling. EP0292013B1. 1994-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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