分布帰還型半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阿部 雄次; 大塚 健一; 杉本 博司; 大石 敏之; 松井 輝仁 |
| 发表日期 | 1997-07-04 |
| 专利号 | JP2669045B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To provide a narrow spectral line width characteristic where a mode is stabilized upon high output power by changing a coupling constant in the direction of a resonator by changing the pitch of a diffraction grating. CONSTITUTION:There are successively grown on an n-InP substrate 1 an n- InGaAsP active layer 2, a P-InGaAsP diffraction grating layer 3, a P-InP capping layer 4 (thickness=t). Then, opposite ends of the layer 4 are etched into a film thickness satisfying s |
| 公开日期 | 1997-10-27 |
| 申请日期 | 1989-04-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34876]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部 雄次,大塚 健一,杉本 博司,等. 分布帰還型半導体レーザの製造方法. JP2669045B2. 1997-07-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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