半導体レ—ザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲高▼橋 向星; 細田 昌宏; 角田 篤勇; 須山 尚宏; 松井 完益 |
| 发表日期 | 1996-06-27 |
| 专利号 | JP2533962B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To enable heat released in a double heterostructure to be efficiently dissipated by a method wherein an AlGaAs layer excellent in thermal conductivity is provided. CONSTITUTION:A double hetero structure of AlGaInP crystal layer is provided onto a GaAs substrate 1, and an AlGaAs layer 11 is formed on a light absorbing layer 8 provided with a stripe groove and a GaInP etching stop layer 7. The thickness of the GaInP etching stop layer 7 is shorter than the de Broglie wavelength of electron, and the AlGaAs layer 11 is possessed of a band gap energy larger than that of light generated in the double heterostructure. By this setup, a semiconductor laser element possessed of a structure excellent in heat dissipating property and able to continuously oscillate visible light at a room temperature can be obtained. |
| 公开日期 | 1996-09-11 |
| 申请日期 | 1990-05-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34913]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲高▼橋 向星,細田 昌宏,角田 篤勇,等. 半導体レ—ザ素子及びその製造方法. JP2533962B2. 1996-06-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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