半導体素子実装用接合材およびそれを用いた実装方法
文献类型：专利
| 作者 | 上山 智; 高橋 康仁; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1994-07-06 |
| 专利号 | JP1994052822B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子実装用接合材およびそれを用いた実装方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半田層をヒートシンクへ容易に転写することができ、転写後の表面が清浄であり、半導体素子の安定した密着強度を得る。 【構成】 半導体素子実装用接合材Aは、厚さ50μmの四フッ化エチレン-エチレン共重合体(以下「ETFE」という)フィルム10に膜厚2μmのインジュウム2を蒸着したものである。この接合材Aを、コテ6に0.5m/sec2程度の加速度および300gの静圧を加えながらETFEフィルム10側からヒートシンク1に押しつける。インジュウム2は押しつけられたコテ6の底面の形できれいに転写される。加圧のみで転写するためETFEフィルム10に含まれているフッ素や炭素が解離してインジュウムの表面に付着することなく、表面の清浄な転写したインジュウムが得られる。 |
| 公开日期 | 1994-07-06 |
| 申请日期 | 1991-02-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34936]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上山 智,高橋 康仁,大仲 清司. 半導体素子実装用接合材およびそれを用いた実装方法. JP1994052822B2. 1994-07-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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