半導体素子実装用ヒートシンク
文献类型：专利
| 作者 | 関 正俊; 松本 剛 |
| 发表日期 | 1999-10-15 |
| 专利号 | JP2990906B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子実装用ヒートシンク |
| 英文摘要 | 【構成】表面層1と拡散防止層2の間に上,下面間の導体抵抗を確保するための層1aを設け、この1b層は金等が良く、厚さも0.3μm 以上にする。層1aと1の間にろう材の拡散防止層2aを設け、2a層はチタン,フロム等が0.1μm 以上にとる。 【効果】全体の膜厚がほとんど変化しないにもかかわらず、抵抗値が低くなる。 |
| 公开日期 | 1999-12-13 |
| 申请日期 | 1991-12-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34969]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 関 正俊,松本 剛. 半導体素子実装用ヒートシンク. JP2990906B2. 1999-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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