半導体レーザ及び半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 浅賀 達也 |
| 发表日期 | 2001-06-22 |
| 专利号 | JP3200916B2 |
| 著作权人 | セイコーエプソン株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及び半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【構成】 各光導波路の間隔が0.2mm以上のマルチビーム量子井戸構造半導体レーザ。 【効果】 十分なボンディング強度を持ちながら、融着金属のしみだしによる短絡のないダイボンディングが可能なマルチビームの量子井戸構造半導体レーザが得られる。 |
| 公开日期 | 2001-08-20 |
| 申请日期 | 1992-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34980]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | セイコーエプソン株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浅賀 達也. 半導体レーザ及び半導体レーザ素子. JP3200916B2. 2001-06-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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