半導体分布帰還型レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 多田 邦雄; 中野 義昭; 羅 毅; 細松 春夫 |
| 发表日期 | 2001-07-27 |
| 专利号 | JP3215477B2 |
| 著作权人 | 光計測技術開発株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザ光軸に沿って周期的に吸収層が設けられた半導体分布帰還型レーザ装置において、非線型動作をできるだけ抑制し、低しきい値電流動作と高出力を可能にする。 【構成】 周期的な吸収層6にキャリアのライフタイムを短縮する不純物を添加しておく。 【効果】 吸収層6へのキャリアの蓄積を防止でき、キャリアの蓄積によって生じる吸収の飽和や出力特性のヒステリシスを小さくできる。 |
| 公开日期 | 2001-10-09 |
| 申请日期 | 1992-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34981]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 光計測技術開発株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田 邦雄,中野 義昭,羅 毅,等. 半導体分布帰還型レーザ装置. JP3215477B2. 2001-07-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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