分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田 博仁; 奥田 哲朗; 鳥飼 俊敬 |
| 发表日期 | 1995-07-31 |
| 专利号 | JP1995070789B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 DFBレーザの共振器内の軸方向光強度分布を均一にすることにより空間的ホールバーニングを低減し、電流-光出力特例の直線性を改善し、優れた歪特性のアナログ光通信用DFBレーザを実現する。 【構成】 表面に回折格子4を有するn-InP基板1上に中央に開口部をもち共振器方向の中央部で幅が狭く、端面部で幅の広いSiO2 マスクを形成し、MOVPE選択成長により、n-InGaAsP光ガイド層2を選択成長する。SiO2 パターン幅の広い部分はInGaAsPの組成は長波長に、パターン幅の狭い分は短波長になるので、光ガイド層の屈折率は共振器の両端部で大きく中央部分で小さくなる。従って回折格子の結合係数κは共振器の両端で大きく、中央部分で小さくなる。この後SiO2 マスクを除去し、活性層3を有するDH構造を形成し、DFBレーザを製作する。 |
| 公开日期 | 1995-07-31 |
| 申请日期 | 1992-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34998]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 博仁,奥田 哲朗,鳥飼 俊敬. 分布帰還型半導体レーザおよびその製造方法. JP1995070789B2. 1995-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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