集積回路装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 和田 浩; 小川 洋; 上條 健 |
| 发表日期 | 1999-10-08 |
| 专利号 | JP2988796B2 |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 集積回路装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 InP等からなる素子構造を、Si等の格子定数の異なる半導体単結晶基板上に直接接着することにより、素子特性の良い集積回路装置を製造する。 【構成】 シリコン単結晶基板1上にSiを材料とする素子2〜5を形成し、InP単結晶基板5のエッチストップ層6上に素子にに必要な層構造7〜9をを形成し、その基板5ごとSi基板1上に接触させ、熱処理によって直接接着させ、その後,InP基板5を除去することにより、集積回路装置をを作製する。これにより、SI素子InP素子ともに、素子特性を劣化させることなく、集積回路装置が得られる。 |
| 公开日期 | 1999-12-13 |
| 申请日期 | 1993-01-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35007]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 浩,小川 洋,上條 健. 集積回路装置の製造方法. JP2988796B2. 1999-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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