半導体レーザ装置およびその実装方法
文献类型：专利
| 作者 | 島 顕洋 |
| 发表日期 | 2001-08-17 |
| 专利号 | JP3222635B2 |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその実装方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 簡単かつ歩留まりの良い組立を可能とするレーザアレイ装置及びその実装方法を得ることを目的とする。 【構成】 ヒートシンク2の上にはSiCで形成されたサブマウント7がジャンクションアップ方式で載置され、その上にレーザアレイチップ3が載置されている。サブマウント7の表面には、レーザアレイチップ3のエレメント3a〜3cに対応してパターン配線8a〜8cが各々形成されている。エレメント3a〜3cは金線9a〜9cを介してパターン配線8a〜8cに各々接続されている。ヒートシンクブロック2の周囲には絶縁板10が設けられ、その表面にはリード端子4a〜4cに接続されたパターン配線11a〜11cが各々形成されている。 【効果】 配線間の接触により個々の発振部が電気的に導通するなどの現象が低減されるので、動作不良の発生率が減少して歩留まりを向上する効果がある。 |
| 公开日期 | 2001-10-29 |
| 申请日期 | 1993-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35019]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 島 顕洋. 半導体レーザ装置およびその実装方法. JP3222635B2. 2001-08-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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