歐姆電極及其形成方法,以及發光元件
文献类型：专利
| 作者 | 小澤正文; 伊藤哲; 成井二三代 |
| 发表日期 | 1995-02-11 |
| 专利号 | TW240342B |
| 著作权人 | 新力股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 歐姆電極及其形成方法,以及發光元件 |
| 英文摘要 | 本發明之目的是實現一種歐姆電極，對Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體具有良好之密性而且接觸電阻係數很低。 本發明之構造是利用真空蒸法在ｐ型ZnTe層２上形成歐姆電極，該歐姆電極由以Pd膜３作為最下層之金屬多層膜來構成。在歐姆電極形成後，依照需要以100～300℃之溫度進行退火。依照這種方式所形成之歐姆電極作為使用有Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體之半導體雷射或發光二極體之ｐ側之歐姆電極。 |
| 公开日期 | 1995-02-11 |
| 申请日期 | 1993-10-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35029]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新力股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小澤正文,伊藤哲,成井二三代. 歐姆電極及其形成方法,以及發光元件. TW240342B. 1995-02-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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