半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 富士原 潔; 森 義弘; 松井 康 |
| 发表日期 | 2002-08-30 |
| 专利号 | JP3344096B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高バイアス駆動時で光出力飽和の少ない半導体レーザを実現する。 【構成】 n-InP基板101上にn-InP層102、n-InGaAsP115、活性層116、p-InGaAsP117、p-InP層104を順次成長させる。この半導体多層構造から、メサストライプを形成する。ストライプの両側にp-InP105、n-InP電流ブロック層106を形成し、埋め込み型へテロ構造を形成する。電極110をマスクとして、イオン注入により、電極110の両側の半導体表面に絶縁層118を形成する。次にSiO2110をエッチングし全面に金属多層膜112を蒸着する。この構造により、ヒートシンクへのボンディングした際に、レーザ素子内で発生した熱はコンタクト層の方向だけでなく、電流ブロック層から横方向にも放熱される。よって高バイアス駆動時でも光出力飽和の少ない特性の半導体レーザが実現できる。 |
| 公开日期 | 2002-11-11 |
| 申请日期 | 1994-07-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35050]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 富士原 潔,森 義弘,松井 康. 半導体レーザ及びその製造方法. JP3344096B2. 2002-08-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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