分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 深谷 一夫 |
| 发表日期 | 1997-04-18 |
| 专利号 | JP2630273B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層を歪量子井戸構造とし、この歪量子井戸の厚さを発振波長に応じた周期で変化させることにより、利得結合方式の分布帰還型半導体レーザを実現し、制御性の良い単一軸モード発振を得る。 【構成】 (100)面から[01-1]方位に0.5°傾斜した面方位をもつSiドープGaAs基板1上に、格子パターンに垂直な方向が[01-1]方向に一致するように、発振波長に対応する1次の回折格子をエッチングにより形成したのち、GaAsバリア層5、InGaAs歪量子井戸活性層6、GaAsバリア層7を含むダブルヘテロ構造をMOVPEを用いて成長する。これにより、基板の回折格子の周期で凹凸構造が残ったGaAsバリア層5上を凸部に厚く凹部に薄くInGaAs層が厚く成長することにより、InGaAs歪量子井戸活性層6に基板1の回折格子と同周期の層厚周期構造が得られる。 |
| 公开日期 | 1997-07-16 |
| 申请日期 | 1994-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35056]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 深谷 一夫. 分布帰還型半導体レーザ. JP2630273B2. 1997-04-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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