半導体素子の封止構造
文献类型：专利
| 作者 | 根本 和彦; 松田 修; 小林 俊雅; 土居 正人 |
| 发表日期 | 2002-02-15 |
| 专利号 | JP3277736B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子の封止構造 |
| 英文摘要 | 【目的】 表側に光を出射し、且つ被照射部からの戻り光を入射させるCLCデバイスの光結合素子を用いた半導体素子の表側からの放熱を可能にする。 【構成】 発光部と受光部が共通の基板上に近接して配置され、発光部から出射された出射光の被照射部からの戻り光が受光部によって共焦点位置近傍で受光検出されるようにして成る光結合素子51と、透明ヒートシンクによりなるパッケージ窓部32を有し、このパッケージ窓部32が光結合素子51の光が出力される表側に貼り合わされて構成する。 |
| 公开日期 | 2002-04-22 |
| 申请日期 | 1994-12-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35067]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 根本 和彦,松田 修,小林 俊雅,等. 半導体素子の封止構造. JP3277736B2. 2002-02-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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