窒化物半導体の電極
文献类型：专利
| 作者 | 山田 孝夫; 妹尾 雅之 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP2950192B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体の電極 |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体と接着力が強い電極を提供するものであり、詳しくは窒化物半導体層に絶縁膜を介して形成された電極の接着力を向上させることにより、窒化物半導体を用いたLED、LD、受光素子等、各種デバイスの信頼性を向上させる。 【構成】 窒化物半導体4と電気的に接続された電極10が絶縁膜5を介して形成されており、絶縁膜5と電極10との間に電極と絶縁膜との接着力よりも大きな接着力を有する金属薄膜6が形成されている。 |
| 公开日期 | 1999-09-20 |
| 申请日期 | 1995-04-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35077]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 孝夫,妹尾 雅之. 窒化物半導体の電極. JP2950192B2. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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