半導体光集積素子及び半導体光集積素子の駆動方法
文献类型：专利
| 作者 | 森戸 健 |
| 发表日期 | 2006-05-12 |
| 专利号 | JP3799628B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子及び半導体光集積素子の駆動方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 比較的大きな電流を分布帰還型レーザ領域に流しながら,発光遠視野像を劣化させることなく, 電界吸収型光変調領域にフォトキャリアの蓄積による変調特性の劣化を起こすことのない小さなパワーのレーザ光を結合させる素子構造を得て,伝送特性を向上させる。 【構成】 1)同一半導体基板上に発光領域と,光量調整領域と,光変調領域とがこの順に光軸を共有して集積され,該光量調整領域は光吸収層と電圧印加により該光吸収層の光吸収率を調整する電極とを有する,2)前記1記載の光量調整領域の代わりに光量減衰領域が集積され,該光量減衰領域は該光変調領域の吸収層より高不純物濃度の吸収層を有する。 |
| 公开日期 | 2006-07-19 |
| 申请日期 | 1995-06-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35088]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森戸 健. 半導体光集積素子及び半導体光集積素子の駆動方法. JP3799628B2. 2006-05-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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