分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 河村 浩充 |
| 发表日期 | 2003-10-10 |
| 专利号 | JP3479925B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、簡単な手段に依って、結合定数κが後端面から前端面に向かって大きくなる回折格子を形成し、共振器方向の光強度分布を平坦化してI-L特性の直線性を良好にしようとする。 【解決手段】 レーザ·ストライプに沿い且つレーザ·ストライプの出力端面側から反対端面側に向かって厚さが減少変化するように形成されて共振器として作用するInGaAsP回折格子層13に於ける回折格子を備える。 |
| 公开日期 | 2003-12-15 |
| 申请日期 | 1995-08-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35092]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河村 浩充. 分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法. JP3479925B2. 2003-10-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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