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偏波制御および波長制御可能な半導体光デバイスおよびそれを用いた光ネットワーク

文献类型:专利

作者内田 護
发表日期2003-04-18
专利号JP3420407B2
著作权人キヤノン株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名偏波制御および波長制御可能な半導体光デバイスおよびそれを用いた光ネットワーク
英文摘要【課題】高速変調時のチャーピングを抑えることができ且つ波長制御可能な半導体レーザおよび透過特性が偏波無依存であり且つ波長制御可能な半導体光フィルタ等の半導体光デバイスである。 【解決手段】互いに独立な偏波モードを許容する光導波路103、104とブラッグ反射型或は分布帰還型共振器を有する半導体光デバイスである。半導体光デバイスは、偏波モードの偏波状態に応じて異なる利得を与える利得領域と、偏波モードの偏波状態に応じて異なる損失を利得領域とは独立に与える損失領域と、独立な偏波モードの1つを任意に選択する手段と、利得及び損失領域と独立に波長を制御する手段とを有する。
公开日期2003-06-23
申请日期1995-09-11
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35095]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
内田 護. 偏波制御および波長制御可能な半導体光デバイスおよびそれを用いた光ネットワーク. JP3420407B2. 2003-04-18.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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