窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 花岡 大介; 古川 勝紀 |
| 发表日期 | 2005-07-22 |
| 专利号 | JP3700872B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 窒化物系III-V族化合物半導体層に対して密着性が良く、物理的強度が強い電極層を得る。 【解決手段】 窒化物系III-V族化合物半導体層13,17に接して、多結晶GaN電極層19,18を形成する。これらの多結晶GaN電極層19,18は、従来の金属電極層に比べて窒化物系III-V族化合物半導体層との密着性が良好であり、物理的強度も強い。また、これらの多結晶GaN電極層19,18は発光波長に対する透過率が高いので、発光の外部への取り出し効率も高く、また、窒化物系III-V族化合物半導体層に対するオーミック性も良好である。 |
| 公开日期 | 2005-09-28 |
| 申请日期 | 1995-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35115]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 花岡 大介,古川 勝紀. 窒化物系III-V族化合物半導体装置およびその製造方法. JP3700872B2. 2005-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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