窒化物半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山田 孝夫; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2004-11-19 |
| 专利号 | JP3617565B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体よりなるレーザチップをヒートシンク、サブマウント等にボンディングするにあたり、主として、チップの放熱が十分に行われるレーザ素子の新規な構造を提供して、素子寿命を向上させ、連続発振できるようにすると共に、レーザ素子の信頼性を向上させる。 【構成】 同一面側に正負一対の電極を有するレーザチップが、支持体にフェイスダウンでボンディングされてなるレーザ素子であって、前記支持体の表面には絶縁膜が形成されると共に、その絶縁膜の表面にリード電極が形成されており、前記レーザチップの少なくとも一方の電極が前記リード電極にボンディングされていることにより、金属製の支持体を用いることができるため、放熱性が高まる。 |
| 公开日期 | 2005-02-09 |
| 申请日期 | 1996-02-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35122]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 孝夫,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3617565B2. 2004-11-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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