光電変換素子アレイ装置、半導体発光素子アレイを用いた光源装置、およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 瀬古 保次; 村上 朱実; 乙間 広己; 植木 伸明; 布施 マリオ |
| 发表日期 | 2004-11-05 |
| 专利号 | JP3612850B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光電変換素子アレイ装置、半導体発光素子アレイを用いた光源装置、およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光点密度が高く信頼性の高い半導体発光素子アレイを用いた光源装置を提供する。 【解決手段】 本発明の特徴は、二次元配列せしめられた発光点LPを形成する発光素子アレイと、前記発光点からの光を収束する収束手段と、前記収束手段を介して前記光が収束せしめられ、結像点を形成する位置に設けられた受光手段と、あらかじめ決定された方向に、前記受光手段に対して相対的に前記結像点を移送する移送手段とを具備し、前記発光素子アレイは、複数の半導体チップで構成され、前記半導体チップの相対向する隣接端面S1,S2が前記移送方向に対して傾斜するように結合せしめられていることにある。 |
| 公开日期 | 2005-01-19 |
| 申请日期 | 1996-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35129]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 瀬古 保次,村上 朱実,乙間 広己,等. 光電変換素子アレイ装置、半導体発光素子アレイを用いた光源装置、およびその製造方法. JP3612850B2. 2004-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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