半導体分布帰還型レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鬼頭 雅弘; 大塚 信之; 石野 正人; 松井 康 |
| 发表日期 | 2001-05-25 |
| 专利号 | JP3191669B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体分布帰還型レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流が低く、発光効率が高い利得結合型分布帰還型レーザ装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 InP基板1上に多層構造が形成されている。多層構造は少なくとも活性層8を含んでおり、活性層8とInP基板1の間に、レーザ光のエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有する吸収層19が周期的に設けられている。吸収層19のバンドギャップエネルギーがInP基板1に対して垂直方向に分布を持ち、吸収層19のバンドギャップエネルギーが活性層側8から離れるに従い小さくすることにより、吸収飽和が生じにくく、かつ吸収損失を小さくすることが可能となる。 |
| 公开日期 | 2001-07-23 |
| 申请日期 | 1996-04-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35131]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鬼頭 雅弘,大塚 信之,石野 正人,等. 半導体分布帰還型レーザ装置及びその製造方法. JP3191669B2. 2001-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。