窒化化合物半導体レーザー素子
文献类型：专利
| 作者 | 山口 敦史 |
| 发表日期 | 2000-10-20 |
| 专利号 | JP3120744B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化化合物半導体レーザー素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流密度の低い窒化化合物半導体レーザー素子を提供する。 【解決手段】 窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれた1種の層、或いはこれらの中から選ばれた2種以上による混晶の層からなる窒化化合物半導体層を有する窒化化合物半導体レーザー素子において、熱膨張係数に異方性のある物質からなる基板であって、基板面内に熱膨張係数の異方性が現れるような基板面方位を有する基板を用いたことを特徴とする窒化化合物半導体レーザー素子。 |
| 公开日期 | 2000-12-25 |
| 申请日期 | 1996-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35167]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山口 敦史. 窒化化合物半導体レーザー素子. JP3120744B2. 2000-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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