窒化物半導体レーザダイオード
文献类型：专利
| 作者 | 山田 孝夫; 中村 修二 |
| 发表日期 | 2002-05-24 |
| 专利号 | JP3309953B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザダイオード |
| 英文摘要 | 【目的】 窒化物半導体レーザダイオードの放熱性を向上させ、しきい値の上昇の抑制、寿命特性の向上を達成させることである。 【構成】 同一面側に一対の正電極及び負電極を設けてなる窒化物半導体レーザダイオードにおいて、正電極及び負電極を有する面に正電極及び負電極を形成するのとは別に、放熱体に接触可能な形状で形成された窒化物半導体層を有してなる。 |
| 公开日期 | 2002-07-29 |
| 申请日期 | 1997-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35173]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 孝夫,中村 修二. 窒化物半導体レーザダイオード. JP3309953B2. 2002-05-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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