窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小河 淳; 湯浅 貴之 |
| 发表日期 | 2006-02-17 |
| 专利号 | JP3771987B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 青色半導体レーザや青色発光ダイオードにおいて動作電圧を低減できるだけでなく、動作中における動作電圧の上昇の防止や、動作中での発光効率の低下を抑制でき、ひいては信頼性の高い素子を実現することを可能とする。 【解決手段】 本発明は、p型不純物をドープした窒化ガリウム系半導体層を有機金属化合物気相成長法を用いて成長する最中、あるいは、該窒化ガリウム系半導体層の成長後に、該窒化ガリウム系半導体層を高温の状態において赤外線を該窒化ガリウム系化合物半導体層に照射する工程を含むことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2006-05-10 |
| 申请日期 | 1997-02-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35175]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小河 淳,湯浅 貴之. 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法. JP3771987B2. 2006-02-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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