温度制御型半導体モジュール
文献类型：专利
| 作者 | 木村 直樹 |
| 发表日期 | 1999-10-08 |
| 专利号 | JP2988432B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 温度制御型半導体モジュール |
| 英文摘要 | 【課題】 パッケージへの実装工程を簡略化した、量産化に適したペルチェクーラーを内蔵した温度制御型半導体モジュールを提供する。 【解決手段】 ペルチェクーラーの下部基板の側面に形成された金属配線を通して下部基板の下面まで金属電極が引き出される。下部基板の下面にはペルチェ素子とパッケージを接続するための金属電極及びペルチェクーラーとパッケージとの接合のための金属部分が形成されている。パッケージにはペルチェクーラーと接合するための金属部分及びパッケージの端子とペルチェ素子を接続するための配線が形成され、下部基板の下面の金属部分をパッケージの金属部分に、下部基板の下面の金属電極をパッケージの配線にそれぞれ半田接続することにより同時に実装と配線を行う。パッケージの端子に電圧をかけ、ペルチェ素子に電流を流すことにより上部基板上に搭載された半導体レーザの温度制御が行われる。 |
| 公开日期 | 1999-12-13 |
| 申请日期 | 1997-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35186]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 直樹. 温度制御型半導体モジュール. JP2988432B2. 1999-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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