スタック型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 吉孝; 木村 裕治; 渥美 欣也 |
| 发表日期 | 2006-06-16 |
| 专利号 | JP3814950B2 |
| 著作权人 | 株式会社デンソー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | スタック型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 複数の半導体レーザ素子の積層構造に工夫を加えることにより、各半導体レーザ素子のレーザ光によるビームパターン間の重なりをできる限り大きくし、かつ電気的接続構成の自由度の高いスタック型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子20がそのN型電極27にてはんだ層40により台座10の上面11に接合されている。半導体レーザ素子30が、そのN型電極36にて、半導体レーザ素子20と同一の出射面方向を有するようにP型電極26に、はんだ層60、絶縁層50を介して接合されている。また、半導体レーザ素子30のボンディング電極39が半導体レーザ素子20のP型電極26にワイヤ70によりボンディング接続されている。 |
| 公开日期 | 2006-08-30 |
| 申请日期 | 1997-06-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35193]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社デンソー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 吉孝,木村 裕治,渥美 欣也. スタック型半導体レーザ. JP3814950B2. 2006-06-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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