窒化ガリウム系半導体のp型電極およびその形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 久永 幸博; 仁道 正明 |
| 发表日期 | 2002-04-19 |
| 专利号 | JP3299145B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系半導体のp型電極およびその形成方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 電極表面のAu層がp型コンタクト層内部に拡散するのを防止することにより、良好なコンタクト特性を有し、かつリードボンドやヒートシンクの融着に優れた窒化ガリウム系半導体のp型電極、及びこの電極を備えた半導体装置を提供する。 【解決手段】 一般式InxAlyGa1-x-yN(x≧0、y≧0、x+y≦1)で表されるp型窒化ガリウム系半導体上に接して、Ni、Cr、Mgのそれぞれ単独からなる金属層、あるいはNi、Cr、Mgから選択される少なくとも1種以上を含む合金からなる金属層を有し、さらに該金属層の上にPt層を有し、さらに該Pt層の上にAuを含む金属層が積層された電極構造とする。 |
| 公开日期 | 2002-07-08 |
| 申请日期 | 1997-07-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35195]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 久永 幸博,仁道 正明. 窒化ガリウム系半導体のp型電極およびその形成方法. JP3299145B2. 2002-04-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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