半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 副島 ▲玲▼子 |
| 发表日期 | 2007-06-08 |
| 专利号 | JP3965610B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、p型Alx Iny Ga1-x-y Nに設ける電極の剥離を防止する。 【解決手段】 半導体層1に接するNi層2と、ボンディングメタル層としてのAu層4との間にTi層3を介在させる。 |
| 公开日期 | 2007-08-29 |
| 申请日期 | 1997-08-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35198]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 副島 ▲玲▼子. 半導体装置及びその製造方法. JP3965610B2. 2007-06-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。