窒化物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 豊田 達憲; 庄野 博文; 田中 寿典; 榊 篤史 |
| 发表日期 | 2003-12-19 |
| 专利号 | JP3503439B2 |
| 著作权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 発光強度のより向上した、更に高温高湿条件下での長期間の使用によってもショートが起こらない信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することである。 【解決手段】 基板11と、基板上に少なくとも順に積層形成されたn型層12及びp型層13と、該p型層上に設けられたp電極23と、前記p型層側から上記n型層に達する第一の凹部301と、該第一の凹部に露出したn型層上に設けられたn電極14と、前記p型層側から上記基板に達する第二の凹部302とを有し、更に前記第二の凹部の基板露出面304が、n型層と基板との界面より下方にあり、p電極及びn電極の各ボンディング面を除いてp電極及びn電極から第二の凹部まで連続して絶縁膜24が形成されている。 |
| 公开日期 | 2004-03-08 |
| 申请日期 | 1997-09-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35208]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 豊田 達憲,庄野 博文,田中 寿典,等. 窒化物半導体素子. JP3503439B2. 2003-12-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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