光素子のダイボンディング方法とそのダイボンディング装置
文献类型：专利
| 作者 | 北古賀 亨; 千田 昌男 |
| 发表日期 | 1999-12-10 |
| 专利号 | JP3012568B2 |
| 著作权人 | 日本電気エンジニアリング株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光素子のダイボンディング方法とそのダイボンディング装置 |
| 英文摘要 | 【課題】処理能力の向上と汎用的な部材を用いてのステム外形中心に対しての発光中心位置精度を確実に向上させ、歩留まりを向上させる高精度な半導体レーザのダイボンディング方法及び装置を提供する。 【解決手段】レーザチップ10をV溝等のステージ5上に載置するレーザチップ供給手段と、載置されたステム1を2方向からステムのくぼみをクランプ爪6によってクランプし、クランプされたステム1の外形に対する基準点8を検出し、ステムポスト2上面にマーキングを行う位置検出及びマーキング手段と、レーザチップ10の活性層の電極面の2つ以上の角17を検出し、レーザチップ10の発光部(軸)12の位置を検出する手段と、そのレーザチップ10を基準点8を基に位置補正し搬送する手段と、ステム1とステムポスト2を加熱して搬送されてきたレーザチップ10をダイボンディングする手段とを有する。 |
| 公开日期 | 2000-02-21 |
| 申请日期 | 1997-09-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35209]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気エンジニアリング株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北古賀 亨,千田 昌男. 光素子のダイボンディング方法とそのダイボンディング装置. JP3012568B2. 1999-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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