Infrared and blue stacked laser diode array by wafer fusion
文献类型：专利
| 作者 | FLOYD, PHILIP D. |
| 发表日期 | 2000-08-15 |
| 专利号 | US6104740 |
| 著作权人 | XEROX CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Infrared and blue stacked laser diode array by wafer fusion |
| 英文摘要 | An an infrared laser structure has an inverted or p-side down orientation. The infrared laser structure is inverted and wafer fused to a blue laser structure to form an infrared/blue monolithic laser structure. The top semiconductor layer of the inverted infrared stack laser structure is a GaInP fusion bonding layer which will be wafer fused to the top semiconductor layer of the blue laser structure which is a GaN cladding/contact layer. |
| 公开日期 | 2000-08-15 |
| 申请日期 | 1998-01-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35223]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | XEROX CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | FLOYD, PHILIP D.. Infrared and blue stacked laser diode array by wafer fusion. US6104740. 2000-08-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。