光半導体結合装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西川 透; 宇野 智昭; 東門 元二; 光田 昌弘 |
| 发表日期 | 2006-01-20 |
| 专利号 | JP3761051B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体結合装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光半導体結合装置における半導体レーザ素子や光ファイバなどのより高精度な実装を可能にする、光半導体結合装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 光信号を光ファイバで伝送する光伝送システムにて使用される、信号光源である半導体レーザ素子の光を伝送路である単一モード光ファイバに光結合させる光半導体結合装置において、該単一モード光ファイバのモードフィールド径が、該半導体レーザ素子のスポット径の±30%以内に設定されている。或いは、光半導体結合装置が、基板の表面に同一のエッチング工程によって形成された、単一モード光ファイバが実装される溝と半導体レーザ素子の位置決めのために使用される複数のピットと、を備える。 |
| 公开日期 | 2006-03-29 |
| 申请日期 | 1998-02-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35233]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 透,宇野 智昭,東門 元二,等. 光半導体結合装置の製造方法. JP3761051B2. 2006-01-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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