半導體製造方法及其製造裝置
文献类型：专利
| 作者 | 西川 孝司; 佐佐井洋一; 北真; 北畠真 |
| 发表日期 | 2001-02-01 |
| 专利号 | TW420835B |
| 著作权人 | 松下電器產業股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體製造方法及其製造裝置 |
| 英文摘要 | 本發明之課題乃在確實地獲得一種缺陷少之GaN系半導體結晶。 本發明之製造方法，作為基板之前處理，首先係將由面方位為(lll)面之Si所構成的基板ll浸漬於氫氟酸中，形成用以將基板ll主面之懸鏈終端化的H原子層12。其次，將此基板ll搬入MBE裝置中之高真空反應容器內，在搬入之基板ll的H原子層12上，分別供給Ga之分子線及Se之分子線，藉而令由凡德瓦結晶體之GaSe所構成之緩衝層l3成長。而後，中止Se之供給，代之以在基板1l之緩衝層13上，將利用高週波或電子迴旋加速器共振的活化N2氣體作為氮源供給，藉而令由GaN所構成之半導體層14成長。 |
| 公开日期 | 2001-02-01 |
| 申请日期 | 1998-06-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35243]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器產業股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 孝司,佐佐井洋一,北真,等. 半導體製造方法及其製造裝置. TW420835B. 2001-02-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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